Poređenje proizvoda
0

MOSFET (HEXFET) Vishay IRFD110PBF N-kanal, kučište DIP-4 I(D) 1 A U(DS) 100 V

Kataloški br:
162582 - 62
Oznaka:
IRFD110PBF
EAN:
2050000042409

(0)

Kataloški br:
162582 - 62
Oznaka:
IRFD110PBF
EAN:
2050000042409

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 27.04.2025 do 29.04.2025

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

1.60  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Vishay

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

180 pF

Iskaznica)

1A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

DIP-4

Proizv. skr.

VIS

Proizvođač

Vishay

Q (G)

8,3 nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

600 mA

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

540 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

1.3 W

Tip

IRFD110PBF

U

100 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

100 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Vishay IRFD110PBF 1 N-kanal 1.3 W DIP-4

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Conrad zahtijeva vaš pristanak za korištenje pojedinačnih podataka kako bi se osigurala funkcionalnost web stranice i između ostalog, kako bi vam pokazao informacije o vašim interesima. Klikom na "Slažem se" dajete svoju saglasnost. Detaljne informacije možete pronaći u našoj izjavi o zaštiti podataka.
Imate mogućnost da u bilo kojem trenutku povučete svoj pristanak u izjavi o zaštiti podataka.
Izjava o privatnosti