MOSFET (HEXFET/FETKY) IRF7459N-kanal, kućište SO-8 I(D) 12A U(DS) 20 V
- Kataloški br:
- 162484 - 62
- Oznaka:
- IRF7459
- EAN:
- 2050000041709
- Kataloški br:
- 162484 - 62
- Oznaka:
- IRF7459
- EAN:
- 2050000041709
MOSFET (HEXFET/FETKY) IRF7459N-kanal, kućište SO-8 I(D) 12A U(DS) 20 V

6.60 KM
Komada
6.60 KM
Komada


Tehničke specifikacije
Tehničke specifikacije
C (ISS) referentni napon
10 V
C(ISS)
2480pF
Iskaznica)
12A
Izvršenje
N-kanal
Kanala
1
Karakteristika tranzistora
zadano
Kućište
SO-8
Niz
HEXFET®
Proizv. skr.
INF
Proizvođač
Infineon Technologies
Q (G)
35 nC
Q (G) referentni napon
4.5 V
R(DS)(on) Referentna struja
12A
R(DS)(on) Referentni napon
10 V
R(DS)(uključeno)
9 MΩ
Radna temperatura (maks.)
+150 °C
Radna temperatura (min.)
-55 °C
Sadržaj
1 kom
Snaga (maks.) P(TOT)
2.5 W
Tip
IRF7459
U
20 V
U (GS) (th) Referentna struja maks.
250 µA
U(DSS)
20 V
U(GS)(th) maks.
2 V
Vrsta montaže
površinska montaža
Vrsta proizvoda
MOSFET
Opis
Opis
Opseg isporuke
- MOSFET Infineon Technologies IRF7459 1 N-kanal 2.5 W SO-8