HEXFET/FETKY IRLR120N N-kanal,kućište DPAK I(D) 10 A U(DS)100 V
- Kataloški br:
- 162845 - 62
- Oznaka:
- IRLR120N
- EAN:
- 2050000044526
- Kataloški br:
- 162845 - 62
- Oznaka:
- IRLR120N
- EAN:
- 2050000044526
HEXFET/FETKY IRLR120N N-kanal,kućište DPAK I(D) 10 A U(DS)100 V
3.80 KM
Komada
Prodaja i slanje od:
Architektengruppe S71 d.o.o.
3.80 KM
sa PDV
Troškovi dostave
Komada
Tehničke specifikacije
Tehničke specifikacije
C (ISS) referentni napon
25 V
C(ISS)
440pF
Iskaznica)
10 A
Izvršenje
N-kanal
Kanala
1
Karakteristika tranzistora
zadano
Kućište
TO-263-3
Niz
HEXFET®
Proizv. skr.
INF
Proizvođač
Infineon Technologies
Q (G)
20nC
Q (G) referentni napon
5 V
R(DS)(on) Referentna struja
6A
R(DS)(on) Referentni napon
10 V
R(DS)(uključeno)
185 mΩ
Radna temperatura (maks.)
+175 °C
Radna temperatura (min.)
-55 °C
Sadržaj
1 kom
Snaga (maks.) P(TOT)
48 W
Tip
IRLR120N
U
100 V
U (GS) (th) Referentna struja maks.
250 µA
U(DSS)
100 V
U(GS)(th) maks.
2 V
Vrsta montaže
površinska montaža
Vrsta proizvoda
MOSFET
Opis
Opis
Opseg isporuke
- MOSFET Infineon Technologies IRLR120N 1 N-kanal 48 W TO-263-3
Ocjene kupaca
Ocjene kupaca
Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Pribor za ovaj prooizvod
- Dodatni (3)
