MOSFET (HEXFET /FETKY) IRF1010N N-kanal, kućište TO-220 I(D) 85 A U(DS) 55 V
- Kataloški br:
- 162362 - 62
- Oznaka:
- IRF1010NPBF
- EAN:
- 2050000040627
- Kataloški br:
- 162362 - 62
- Oznaka:
- IRF1010NPBF
- EAN:
- 2050000040627
MOSFET (HEXFET /FETKY) IRF1010N N-kanal, kućište TO-220 I(D) 85 A U(DS) 55 V
3.80 KM
Komada
Prodaja i slanje od:
Architektengruppe S71 d.o.o.
3.80 KM
sa PDV
Troškovi dostave
Komada
Tehničke specifikacije
Tehničke specifikacije
C (ISS) referentni napon
25 V
C(ISS)
3210pF
Iskaznica)
85 A
Izvršenje
N-kanal
Kanala
1
Karakteristika tranzistora
zadano
Kućište
TO-220
Niz
HEXFET®
Proizv. skr.
INF
Proizvođač
Infineon Technologies
Q (G)
120 nC
Q (G) referentni napon
10 V
R(DS)(on) Referentna struja
43 A
R(DS)(on) Referentni napon
10 V
R(DS)(uključeno)
11 mΩ
Radna temperatura (maks.)
+175 °C
Radna temperatura (min.)
-55 °C
Sadržaj
1 kom
Snaga (maks.) P(TOT)
180 W
Tip
IRF1010NPBF
U
55 V
U (GS) (th) Referentna struja maks.
250 µA
U(DSS)
55 V
U(GS)(th) maks.
4 V
Vrsta montaže
Otvor za skoznik
Vrsta proizvoda
MOSFET
Opis
Opis
MOSFET tranzistor je komponenta pod nadzorom napona i može se izravno povezati s izvorima visokog otpora. Stoga je prikladan za upotrebu kao sklopka ili analogno pojačalo. Napomena: Proizvođač SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Ovaj tekst je strojno preveden.
Ovaj tekst je strojno preveden.
Opseg isporuke
- MOSFET Infineon Technologies IRF1010NPBF 1 N-kanal 180 W TO-220
Ocjene kupaca
Ocjene kupaca
Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Pribor za ovaj prooizvod
- Dodatni (4)
