Ova postavka prilagođava asortiman proizvoda i cijene vašim potrebama.

MOSFET (HEXFET /FETKY) IRF820N-kanal, kućište TO-220 I(D) 2.5 A U(DS) 500 V

Kataloški br:
162520 - 62
Oznaka:
IRF820PBF
EAN:
2050000041822

(0)

Kataloški br:
162520 - 62
Oznaka:
IRF820PBF
EAN:
2050000041822

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 06.05.2024 do 08.05.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

360pF

Iskaznica)

2.5 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

TO-220AB

Proizv. skr.

VIS

Proizvođač

Vishay

Q (G)

24nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

1.5 A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

3 Ω

Radna temperatura (maks.)

+150 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

50 W

Tip

IRF820PBF

U

500 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

500 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

MOSFET tranzistor je komponenta pod nadzorom napona i može se izravno povezati s izvorima visokog otpora. Stoga je prikladan za upotrebu kao sklopka ili analogno pojačalo. Napomena: Proizvođač SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.

Ovaj tekst je strojno preveden.

Opseg isporuke

  • MOSFET Vishay IRF820PBF 1 N-kanal 50 W TO-220AB

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.