Poređenje proizvoda
0

MOSFET IRFD9120PBF P-kanal, kućište HEXDIP I(D) -1 A U(DS) -100 V

Kataloški br:
162591 - 62
Oznaka:
IRFD9120PBF
EAN:
2050000042461

(0)

Kataloški br:
162591 - 62
Oznaka:
IRFD9120PBF
EAN:
2050000042461

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 21.05.2024 do 23.05.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

2.80  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

390pF

Iskaznica)

1A

Izvršenje

P kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

HEXDIP

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

18nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

600 mA

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

600 MΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

1.3 W

Tip

IRFD9120PBF

U

100 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

100 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRFD9120PBF 1 P-kanal 1.3 W HEXDIP

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Conrad zahtijeva vaš pristanak za korištenje pojedinačnih podataka kako bi se osigurala funkcionalnost web stranice i između ostalog, kako bi vam pokazao informacije o vašim interesima. Klikom na "Slažem se" dajete svoju saglasnost. Detaljne informacije možete pronaći u našoj izjavi o zaštiti podataka.
Imate mogućnost da u bilo kojem trenutku povučete svoj pristanak u izjavi o zaštiti podataka.
Izjava o privatnosti