Poređenje proizvoda
0

MOSFET IRLD024PBF N-kanal, kućište HEXDIP I(D) 2.5 A U(DS) 60 V

Kataloški br:
162806 - 62
Oznaka:
IRLD024PBF
EAN:
2050000044229

(0)

Kataloški br:
162806 - 62
Oznaka:
IRLD024PBF
EAN:
2050000044229

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 21.05.2024 do 23.05.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

4.40  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

870 pF

Iskaznica)

2.5 A

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

Vrata logičke razine

Kućište

HEXDIP

Proizv. skr.

VIS

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

18nC

Q (G) referentni napon

5 V

R(DS)(on) Referentna struja

1.5 A

R(DS)(on) Referentni napon

5 V

R(DS)(uključeno)

100 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

1.3 W

Tip

IRLD024PBF

U

60 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

60 V

U(GS)(th) maks.

2 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRLD024PBF 1 N-kanal 1.3 W HEXDIP

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Conrad zahtijeva vaš pristanak za korištenje pojedinačnih podataka kako bi se osigurala funkcionalnost web stranice i između ostalog, kako bi vam pokazao informacije o vašim interesima. Klikom na "Slažem se" dajete svoju saglasnost. Detaljne informacije možete pronaći u našoj izjavi o zaštiti podataka.
Imate mogućnost da u bilo kojem trenutku povučete svoj pristanak u izjavi o zaštiti podataka.
Izjava o privatnosti