Poređenje proizvoda
0

Power MOSFET, P-Kanal IRF5210P-kanal, kućište TO-220 I(D) -40 A U(DS) -100 V

Kataloški br:
162406 - 62
Oznaka:
IRF5210PBF
EAN:
2050000040986

(0)

Kataloški br:
162406 - 62
Oznaka:
IRF5210PBF
EAN:
2050000040986

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 27.05.2025 do 29.05.2025

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

7.80  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

2700pF

Iskaznica)

40A

Izvršenje

P kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

zadano

Kućište

TO-220

Niz

HEXFET®

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

180 nC

Q (G) referentni napon

10 V

R(DS)(on) Referentna struja

24 A

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

60 mΩ

Radna temperatura (maks.)

+175 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

200 W

Tip

IRF5210PBF

U

100 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

250 µA

U(DSS)

100 V

U(GS)(th) maks.

4 V

Vrsta montaže

Otvor za skoznik

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF 1 P-kanal 200 W TO-220

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Conrad zahtijeva vaš pristanak za korištenje pojedinačnih podataka kako bi se osigurala funkcionalnost web stranice i između ostalog, kako bi vam pokazao informacije o vašim interesima. Klikom na "Slažem se" dajete svoju saglasnost. Detaljne informacije možete pronaći u našoj izjavi o zaštiti podataka.
Imate mogućnost da u bilo kojem trenutku povučete svoj pristanak u izjavi o zaštiti podataka.
Izjava o privatnosti