Poređenje proizvoda
0

Tranzistor Infineon BSP135 N-kanal, kućište SOT-223

Kataloški br:
153163 - 62
Oznaka:
BSP135H6327
EAN:
2050000021237

(0)

Kataloški br:
153163 - 62
Oznaka:
BSP135H6327
EAN:
2050000021237

Dostupno online (Skladište: Njemačka)

Dostava: 29.11.2024 do 01.12.2024

Prodaja i slanje od: Architektengruppe S71 d.o.o.

3.50  KM

Komada

(0)

Prikaži recenzije

  • Conrad Product Image
Main product image
Main product image
Infineon Technologies

Tehničke specifikacije

U tablici možete odabrati potrebne tehničke podatke kako biste pronašli stavke s istim vrijednostima.

Tehničke specifikacije

C (ISS) referentni napon

25 V

C(ISS)

146 pF

Iskaznica)

120 mA

Izvršenje

N-kanal

Kanala

1

Karakteristika tranzistora

Režim brisanja

Kućište

TO-261-4

Niz

SIPMOS®

Proizv. skr.

INF

Proizvođač

Infineon Technologies

Q (G)

4,9 nC

Q (G) referentni napon

5 V

R(DS)(on) Referentna struja

120 mA

R(DS)(on) Referentni napon

10 V

R(DS)(uključeno)

45 Ω

Radna temperatura (maks.)

+150 °C

Radna temperatura (min.)

-55 °C

Sadržaj

1 kom

Snaga (maks.) P(TOT)

1.8 W

Tip

BSP135H6327

U

600 V

U (GS) (th) Referentna struja maks.

94 µA

U(DSS)

600 V

U(GS)(th) maks.

1 v

Vrsta montaže

površinska montaža

Vrsta proizvoda

MOSFET

Opis

Opis

Opseg isporuke

  • MOSFET Infineon Technologies BSP135H6327 1 N-kanal 1.8 W TO-261-4

Ocjene kupaca

Ocjene kupaca

Prosječna ocjena
0.00 od 5 zvjezdica
Još nema recenzija ovog proizvoda, ali to možete promijeniti.
Conrad zahtijeva vaš pristanak za korištenje pojedinačnih podataka kako bi se osigurala funkcionalnost web stranice i između ostalog, kako bi vam pokazao informacije o vašim interesima. Klikom na "Slažem se" dajete svoju saglasnost. Detaljne informacije možete pronaći u našoj izjavi o zaštiti podataka.
Imate mogućnost da u bilo kojem trenutku povučete svoj pristanak u izjavi o zaštiti podataka.
Izjava o privatnosti